CVD（化學氣相沉積）

CVD法是一種穩(wěn)定的技術，已經(jīng)建立起來用于多種用途，是未來考慮石墨烯和碳納米管大規(guī)模合成時*現(xiàn)實的方法。 制造商 Moorfield 與英國國家研究所合作，反復驗證了這種沉積實驗設備。 在研究機構的合作下，已經(jīng)驗證了利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數(shù)據(jù)可以生產(chǎn)出高質量的石墨烯和CNT Mr./Ms.。
 

冷壁CVD

采用反應快、重現(xiàn)性優(yōu)異的冷壁/高溫樣品加熱臺（熱板）。 設備更小，加工時間縮短，操作優(yōu)良，可創(chuàng)建和儲存30種合成配方。 除了標準系統(tǒng)配置外，還可以根據(jù)要求定制設備配置。 nanoCVD系統(tǒng)是一種小型實驗裝置，具有無限潛力，可以為基礎研發(fā)領域做出貢獻。

特征

• 石墨烯和碳納米管（SWNT）沉積實驗可以很容易地進行，而無需使用大型設備。
• 1批只需30分鐘！
• 采用冷壁式高效、高精度的過程控制
• 快速升溫：RT→1100°C/約3分鐘
• 高性能機器，具有高精度的溫度流量控制和出色的重現(xiàn)性
• 簡單易用！ 通過 5 英寸觸摸屏進行操作和配方管理
• *多可以創(chuàng)建和保存 30 個配方，30 個合成程序步驟。
• 標配專用軟件，輸出為CSV文件，在PC上記錄數(shù)據(jù)
• USB線連接，PC端創(chuàng)建配方→上傳到設備

外形圖

主要技術指標

A. 主要規(guī)格

1.反應室室	不銹鋼SUS304檢漏
2.加熱階段	陶瓷
3. 對應樣本量	20 x 40毫米
4.加熱加熱器	高純石墨加熱器 Max1050°C
5.溫度控制	包括K型熱電偶標準（安裝在加熱階段下方）

 

B. 過程控制設備規(guī)格

1.氣體控制	質量流量控制器 x 3 （Ar， H2， CH4）
2.壓力控制	20托爾 F.S.
3.真空排氣	帶 RV3 的 Edwards 旋轉泵（3m3/hr）
4.操作面板	前置5英寸觸摸屏（歐姆龍制造）
5.風冷	用于機柜內部冷卻的冷卻風扇
6.控制系統(tǒng)	PLC自動過程控制

 

C. 軟件（標準附件）

1. nanoCVD軟件	包括標準（安裝石墨烯的標準程序）
2. 接口	USB 2.0 連接
3. 設置數(shù)量	*多可編程和保存 30 個配方，30 個步驟

 

D. 進氣口連接規(guī)格

1. 工藝氣體	3 x Ar、H2、CH4 1/4“ 世偉洛克管連接
2.載氣	N2，或氬φ6mm推鎖管連接 x 1

 

E. **裝置

1.過熱	由加熱級安裝熱電偶控制
2. 機柜內部過熱	從內部熱開關
3.氣壓異常	來自質量流量控制器
4.降低真空度	來自真空傳感器

 

F. 公用事業(yè)

權力	AC200V 單相 50/60Hz 13A
1. 工藝氣體壓力	*大 30psi 200sccm
2.載氣壓力	60-80磅/平方英寸

 

G. 尺寸和重量

1. 外形尺寸	405mm（寬） x 415mm（深） x 280mm（高）
2.重量	約27kg

nanoCVD-8G（石墨烯）

納米CVD-8N（碳納米管）